Портфолио. Владислав Вадимович Лабутин

Фотография не загружена
Подразделение:
Политехнический институт: Факультет приборостроения, информационных технологий и электроники
Группа:
Категория:
Учащийся (очно)
Тип:
бакалавриат
Подразделение:
Политехнический институт: Факультет приборостроения, информационных технологий и электроники
Группа:
Категория:
Учащийся (очно)
Тип:
бакалавриат
Категория:
Абитуриент
Тип:
специалитет
ТипПредметТема работыОценкаОтзывФайл
Курсовой проектБ.1.1.23. Физическая химия и кристаллофизика материалов электронной техникиФазовая диаграмма полупроводниковых систем 47805Скачать
 Комментировать
Курсовой (2 семестр весенний)Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектронике«Разработка программы построения графиков в среде Pascal»90624Скачать
 Комментировать
Курсовой (2 семестр весенний)Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектроникеРазработка принципиальной схемы и печатной платы электронного устройства90624Скачать
 Комментировать
Курсовая работаБ.1.1.11. Автоматизированные методы обработки результатов экспериментаРазработка программы построения графика интерполяционного полиномаСкачать
 Комментировать
Наименование дисциплиныТема работы
Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектронике«Разработка программы построения графиков в среде Pascal»
Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектроникеРазработка принципиальной схемы и печатной платы электронного устройства
Б.1.1.11. Автоматизированные методы обработки результатов экспериментаРазработка программы построения графика интерполяционного полинома
Б.1.1.24. Квантовая механика и статистическая физикаКорпускулярные свойства электромагнитного излучения
Б.1.1.23. Физическая химия и кристаллофизика материалов электронной техникиФазовая диаграмма полупроводниковых систем
Б.1.1.18. Материалы электронной техникиПьезоэлектрические материалы в микроэлектромеханических системах
Б.1.2.1. СхемотехникаРасчет и моделирование частотно-избирательного усилителя
Б.1.2.2. Физика конденсированного состоянияРасчет температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников.

Опрос