Портфолио. Тимур Олегович Зинченко

Подразделение:
ПГУ
Группа:
Категория:
Учащийся (очно)
Тип:
аспирантура
Дата поступления:
14.09.2018
Категория:
Абитуриент
Тип:
аспирантура
Дата поступления:
08.08.2018
Дата увольнения/окончания:
20.10.2018
Подразделение:
Политехнический институт: Факультет приборостроения, информационных технологий и электроники
Группа:
Категория:
Учащийся (очно)
Тип:
магистратура
Дата поступления:
01.09.2016
Дата увольнения/окончания:
30.01.2019
Списки изученных дисциплин
ГруппаСеместр/КурсПредметКомпетенцииТип отчетностиОценка
16ПДМ11/1 курсИстория и методология науки и техникиОК-4; ОПК-1, 5ЗачетОтлично
16ПДМ11/1 курсКомпьютерные технологии в научных исследованияхПК-2, 4, 16ЗачетОтлично
16ПДМ11/1 курсКомпьютерные технологии в научных исследованияхПК-2, 4, 16Курсовая работаОтлично
16ПДМ11/1 курсМетоды математического моделированияПК-3, 4ЭкзаменОтлично
16ПДМ11/1 курсМетоды математического моделированияПК-3, 4ЗачетЗачтено
16ПДМ11/1 курсНаучно-исследовательская работаОК-4, 1; ОПК-1, 2, 3, 4, 5; ПК-1, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 15, 16, 17; ПСК-4ЗачетОтлично
16ПДМ11/1 курсТеория надежности и качества электронной компонентной базыПК-3, 4, 8; ПСК-1ЭкзаменОтлично
16ПДМ11/1 курсФизика активных диэлектриковПК-8, 7, 1, 5, 4ЭкзаменОтлично
16ПДМ12/1 курсАктуальные проблемы современной электроники и наноэлектроникиОК-4; ОПК-1; ПК-1, 6; ПСК-4ЭкзаменОтлично
16ПДМ12/1 курсНаучно-исследовательская работаОК-4, 1; ОПК-1, 2, 3, 4, 5; ПК-1, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 15, 16, 17; ПСК-4ЗачетОтлично
16ПДМ12/1 курсПроизводственный менеджментПК-15,16,17; ПСК-4ЗачетЗачтено
16ПДМ12/1 курсУчебная практика по получению первичных профессиональных умений и навыковОК-2, 3; ОПК-2, 3; ПК-9, 15ЗачетОтлично
16ПДМ12/1 курсФизика низкоразмерных системПК-7, 8, 1, 5; ПСК-4ЭкзаменХорошо
16ПДМ12/1 курсФизика низкоразмерных системПК-7, 8, 1, 5; ПСК-4ЗачетЗачтено
16ПДМ13/2 курсАвтоматизированные методы проектирования нано- и микроэлектронных структур.ПК-2, 3, 8; ПСК-1, 2, 3Зачетзачет
16ПДМ13/2 курсАвтоматизированные методы проектирования нано- и микроэлектронных структур.ПК-2, 3, 8; ПСК-1, 2, 3Экзаменотл.(5)
16ПДМ13/2 курсНанотехнологии в электронике.ОПК-1; ПК-6; ПСК-4Зачет с оценкойотл.(5)
16ПДМ13/2 курсНаучно-исследовательская работа.ОК-4, 1; ОПК-1, 2, 3, 4, 5; ПК-1, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 15, 16, 17; ПСК-4Зачет с оценкойотл.(5)
16ПДМ13/2 курсПроектирование полупроводниковых интегральных микросхем на основе базоматричных кристаллов и программируемых логических интегральных схем.ПК-7, 8, 9; ПСК-1, 2, 3Зачетзачет
16ПДМ13/2 курсПроектирование полупроводниковых интегральных микросхем на основе базоматричных кристаллов и программируемых логических интегральных схем.ПК-7, 8, 9; ПСК-1, 2, 3Экзаменхор.(4)
16ПДМ13/2 курсПроектирование полупроводниковых интегральных микросхем на основе базоматричных кристаллов и программируемых логических интегральных схем.ПК-7, 8, 9; ПСК-1, 2, 3Курсовой проектотл.(5)
16ПДМ13/2 курсТехнический английский язык .ОК-1Зачетзачет
16ПДМ14/2 курсГосударственная итоговая аттестация.ОПК-2, 4, 5; ПК-1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9; ПСК-1ИАотл.(5)
16ПДМ14/2 курсНаучно-исследовательская работа.ОК-4, 1; ОПК-1, 2, 3, 4, 5; ПК-1, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 15, 16, 17; ПСК-4Зачет с оценкойотл.(5)
16ПДМ14/2 курсПедагогическая практика.ОК-2, 3; ОПК-2, 3; ПК-9, 15, 18Зачет с оценкойотл.(5)
16ПДМ14/2 курсПреддипломная практика.ОК-3; ОПК-2,3; ПК-19Зачет с оценкойотл.(5)
16ПДМ14/2 курсЭлементы и устройства наноэлектроники.ПК-1, 6; ПСК-1, 4Зачет с оценкойотл.(5)
Наименование дисциплиныТема работы
М.1.1.4. Компьютерные технологии в научных исследованияхРазработка электронного учебника
М.1.2.6.1. Микропроцессорная техникаБлок контроля передачи по интерфейсу RS232
М.1.2.2. Проектирование полупроводниковых интегральных микросхем на основе базоматричных кристаллов и программируемых логических интегральных схемПреобразователь 4-х разрядного двоичного кода в код Хемминга с синхронными вводом и выводом
Список публикаций в ЭБС ПГУ
НаименованиеВидТип
Automation of the micro-arc oxidation process. - Journal of Physics: Conf. Series 917 (2017) 092021. doi :10.1088/1742-6596/917/9/092021ИРСтатья
 Комментировать
Development of technological installation for obtaining functional thin film elements used in solar elements of space equipment// Journal of Physics: Conference Series. 2018. vol 1124ИРСтатья
 Комментировать
Electrical properties of transparent conductive ATO coatings obtained by spray pyrolysis// INTERNATIONAL CONFERENCE ON MATERIALS, ALLOYS AND EXPERIMENTAL MECHANICSИРСтатья
 Комментировать
Intelligent System for Active Dielectrics Parameters Research. Procedia Computer Science. Volume 132, 2018, P. 1163–1170.ИРСтатья
 Комментировать
Methods of applying the reliability theory for the analysis of micro-arc oxidation process // Journal of Physics: Conference Series. 2018. vol 1124ИРСтатья
 Комментировать
Modeling of Dependence of Dielectric Parameters of Double-layer Ferroelectric Structure on Temperature and Layers Thickness. Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT), Moscow, 2018, pp. 1-4. DOI: 10.1109/MWENT.2018.8337181ИРСтатья
 Комментировать
Software - Hardware Complex for Measurement and Control of Ferroelectrics Parameters// International Conference on Materials, Alloys and Experimental Mechanics.ИРСтатья
 Комментировать
Автоматизированная исследовательская технологическая установка микродугового оксидирования.Наноструктурированные оксидные пленки и покрытия Сборник статей по материалам Четвертой меж-дународной молодежной научной школы-семинара. 2017. С. 103-114.ИРСтатья
 Комментировать
Анализ материалов, используемых для производства прозрачных проводящих покрытий// Информационные технологии в науке и образовании. Проблемы и перспективы. - 2018. С. 256-258.ИРСтатья
 Комментировать
АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИЙ//Информационные технологии в науке и образовании. Проблемы и перспективы. 2018. С. 258-260.ИРСтатья
 Комментировать
Исследование влияния технологических параметров на воспроизводимость свойств активных диэлектриков // Модели, системы, сети в экономике, технике, природе и обществе. - №1, 2018.- С. 167 – 178.ИРСтатья
 Комментировать
Разработка технологической устновки для получения функциональных тонкопленочных элементов, используемых в солнечных элементах космических аппаратов//"ОРБИТА МОЛОДЁЖИ" И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ РОССИЙСКОЙ КОСМОНАВТИКИ.2017. С. 185-186ИРСтатья
 Комментировать
Расчет параметров чувствительного элемента микрогироскопаИРСтатья
 Комментировать
Экспериментальное исследование полупроводниковых пленок на основе диоксида олова легированного сурьмой//Радиоэлектроника. Проблемы и перспективы развития.2018. c. 28-29ИРСтатья
 Комментировать
Диплом за 1 место в международном конкурсе «Методы, средства и технологии получения и обработки измерительной информации - 2018"ДОКДиплом о присуждении призового места научно-исследовательского конкурса/олимпиады Международного уровня
 Комментировать
Победитель конкурса на право получения Стипендии Правительства РФ по приоритетным направлениям науки, техники и технологий РФ на 2017/2018 уч год. Зинченко Т.О. - студент гр. 16ПДм1 в 2017/18 учебном годуДОКДиплом о присуждении призового места научно-исследовательского конкурса/олимпиады Всероссийского уровня (в т.ч. УМНИК)
 Комментировать
Победитель полуфинала по программе УМНИК ДОКДиплом о присуждении призового места научно-исследовательского конкурса/олимпиады Университетского уровня
 Комментировать
РИД База данных « Зависимости электрофизических свойств функциональных тонкопленочных покрытий от технологических режимов получения»ДОКРезультаты интеллектуальной деятельности, учтенные в ЕГИСУ НИОКР
 Комментировать
РИД База данных «Методические указания к лабораторной работе «Испытания резистов»ДОКРезультаты интеллектуальной деятельности, учтенные в ЕГИСУ НИОКР
 Комментировать
РИД База данных «Методические указания к лабораторной работе «Исследование методов измерения диэлектрических параметров сегнетоэлектриков»ДОКРезультаты интеллектуальной деятельности, учтенные в ЕГИСУ НИОКР
 Комментировать
РИД База данных «Методические указания к лабораторной работе «Проверка гипотезы о законе распределения случайной величины»ДОКРезультаты интеллектуальной деятельности, учтенные в ЕГИСУ НИОКР
 Комментировать
РИД База данных «Фонд тестовых заданий по дисциплине «История и методология науки и техники»ДОКРезультаты интеллектуальной деятельности, учтенные в ЕГИСУ НИОКР
 Комментировать
РИД База данных «Фонд тестовых заданий по дисциплине «Теория надежности и качества электронной компонентной базы»ДОКРезультаты интеллектуальной деятельности, учтенные в ЕГИСУ НИОКР
 Комментировать
РИД База данных «Фонд тестовых заданий по дисциплине «Физика активных диэлектриков»ДОКРезультаты интеллектуальной деятельности, учтенные в ЕГИСУ НИОКР
 Комментировать
Свидетельство о государственной регистрации базы данныхДОКСвидетельство на программы для ЭВМ, БД и ТИМС
 Комментировать
Свидетельство о государственной регистрации базы данных "Методические указания к лабораторной работе "Испытания резистов" №2018621719 от 2.11.18ДОКСвидетельство на программы для ЭВМ, БД и ТИМС
 Комментировать