Портфолио. Марина Александровна Щербакова

Данный пользователь ЗАБЛОКИРОВАН (отчислен/выпустился/не работает)! Редактирование данных ЗАПРЕЩЕНО! Вход на территорию ЗАПРЕЩЕН!
Фотография не загружена
Подразделение:
Политехнический институт: Факультет приборостроения, информационных технологий и электроники
Группа:
Категория:
Учащийся (очно)
Тип:
бакалавриат
ТипПредметТема работыОценкаОтзывФайл
Курсовой проектБ.1.2.8. Технология полупроводниковых и диэлектрических материаловРаспределение примеси вдоль слитка при вытягивании кристаллов из расплава18782Скачать
 Комментировать
КурсовойБ.1.1.20. Микросхемотехника и технологическое проектирование цифровых ИМСРазработка программно-временного устройства25850Скачать
 Комментировать
КурсовойБ.1.2.18.1. Технология нано- и микроэлектромеханических системКремниевый кристалл чувствительного элемента датчика абсолютного давления. Разработка основного технологического маршрута изготовления15657Скачать
 Комментировать
Курсовой проектБ.1.2.2. Физика конденсированного состоянияЭффект Холла15590Скачать
 Комментировать
Курсовой проектБ.1.2.11. Технология электронной компонентной базыРазработка технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе p-n перехода24935Скачать
 Комментировать
Курсовой проектБ.1.2.6. Физико-технологические основы полупроводниковой электроникиРасчет и проектирование полевого транзистора33801Скачать
 Комментировать
Наименование дисциплиныТема работы
Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектроникеПравила выполнения приборостроительных конструкторских документов
Б.1.1.11. Автоматизированные методы обработки результатов экспериментаРазработка программы построения графика полиномиальной регрессии
Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектроникеПостроение графика функции в системе Турбо-Паскаль
Б.1.1.23. Физическая химия и кристаллофизика материалов электронной техникиПрогнозирование полупроводниковых свойств в многокомпонентных системах
Б.1.1.24. Квантовая механика и статистическая физикаДвижение квантовой частицы в силовых полях
Б.1.2.1. СхемотехникаРасчет и моделирование частотно-избирательного усилителя
Б.1.1.18. Материалы электронной техникиФизико-химическое управление электрофизическими свойствами полупроводниковых и диэлектрических материалов
Б.1.2.2. Физика конденсированного состоянияЭффект Холла
Б.1.2.8. Технология полупроводниковых и диэлектрических материаловРаспределение примеси вдоль слитка при вытягивании кристаллов из расплава
Б.1.1.20. Микросхемотехника и технологическое проектирование цифровых ИМСРазработка программно-временного устройства
Б.1.2.18.1. Технология нано- и микроэлектромеханических системКремниевый кристалл чувствительного элемента датчика абсолютного давления. Разработка основного технологического маршрута изготовления
Б.1.2.11. Технология электронной компонентной базыРазработка технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе p-n перехода
Б.1.2.6. Физико-технологические основы полупроводниковой электроникиРасчет и проектирование полевого транзистора
Б.1.2.17.2. Системы обработки измерительных сигналовРеализация многофункционального фильтра в LabVIEW
Б.1.2.17.1. Технология и проектирование тонкопленочных структурРасчет и проектирование тонкопленочной ГИС

Опрос