Аношкин Юрий Владимирович, родился в г. Пенза, 24 ноября 1981 года.

В 1997 году окончил среднюю школу №61 г. Пензы. В этом же году поступил в Пензенский машиностроительный техникум на специальность «Техническая эксплуатация, ремонт и обслуживание электрического и электромеханического оборудование», квалификация – техник-электрик.

В 2001 году окончил Пензенский машиностроительный техникум с отличием. В этом же году поступил в Пензенский государственный университет, факультет радиоэлектроники, кафедры нано- и микроэлектроники, на специальность «Микроэлектроника и твердотельная электроника», квалификация – инженер.

В 2006 году окончил Пензенский государственный университет. В этом же году поступил в очную аспирантур и в 2009 году защитил диссертация кандидата технических наук по специальности «Технология приборостроения».

С 2002 по 2005 год я совмещал учебу и работу в Пензенском государственном университете на кафедре нано- и микроэлектроники на следующих должностях: лаборант, учебный мастер.

С 2009 по 2013 года я работал в Пензенском государственном университете на кафедре нано- и микроэлектроники на разных должностях (ассистент, старший преподаватель и доцент).

С 2002 по 2013 года проектировал и разрабатывал автоматизированные лабораторные комплексы по исследованию свойств материалов электронной техники на кафедре нано- и микроэлектроники Пензенского государственного университета.

В период с 2009 г. по 2013 г. являлся руководителем научно-исследовательской работы в рамках федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы, в области микроэлектроники по теме: «Развитие физико-технологических основ создания микроэлектронных высокостабильных резистивных структур».