Портфолио. Александр Владимирович Гнусенков

Фотография не загружена
Подразделение:
Политехнический институт: Факультет приборостроения, информационных технологий и электроники
Группа:
Категория:
Учащийся (очно)
Тип:
бакалавриат
Дата поступления:
15.08.2018
Категория:
Абитуриент
Тип:
бакалавриат
Дата поступления:
06.07.2018
Дата увольнения/окончания:
20.10.2018
ТипПредметТема работыОценкаОтзывФайл
Курсовой (1 семестр осенний)Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектроникеРазработка принципиальной схемы и печатной платы электронного устройства24707Скачать
 Комментировать
Курсовой (1 семестр осенний)Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектронике«Разработка программы построения графиков в среде Pascal»24707Скачать
 Комментировать
Курсовой проектБ.1.1.23. Физическая химия и кристаллофизика материалов электронной техникиФазовая диаграмма полупроводниковых систем 47798Скачать
 Комментировать
Наименование дисциплиныТема работы
Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектроникеРазработка программы построения графиков в среде Pascal
Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектронике«Разработка программы построения графиков в среде Pascal»
Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектроникеРазработка принципиальной схемы и печатной платы электронного устройства
Б.1.1.11. Автоматизированные методы обработки результатов экспериментаРазработка программы построения графика интерполяционного полинома
Б.1.1.24. Квантовая механика и статистическая физикаЦентрально - симметричное поле. Атом водорода
Б.1.1.23. Физическая химия и кристаллофизика материалов электронной техникиФазовая диаграмма полупроводниковых систем
Б.1.1.18. Материалы электронной техникиПьезоэлектрические материалы в микроэлектромеханических системах
Б.1.2.1. СхемотехникаРасчет и моделирование частотно-избирательного усилителя
Б.1.2.2. Физика конденсированного состоянияРасчет температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников.

Опрос