Портфолио. Салават Рафаэлевич Агишев

Фотография не загружена
Категория:
Абитуриент
Тип:
магистратура
Подразделение:
Политехнический институт: Факультет приборостроения, информационных технологий и электроники
Группа:
Категория:
Учащийся (очно)
Тип:
бакалавриат
Документы 
ТипПредметТема работыОценкаОтзывФайл
Курсовой проектБ.1.2.2. Физика конденсированного состояния15363Скачать
 Комментировать
Курсовой проектБ.1.2.2. Физика конденсированного состоянияРасчет температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников15573Скачать
 Комментировать
Курсовой проектБ.1.2.8. Технология полупроводниковых и диэлектрических материаловРаспределение примеси вдоль слитка при вытягивании кристаллов из расплава15496Скачать
 Комментировать
КурсовойБ.1.1.20. Микросхемотехника и системотехникаСкачать
 Комментировать
КурсовойБ.1.1.20. Микросхемотехника и технологическое проектирование цифровых ИМСРазработка программно-временного устройства15526

ПЗ оформлена отлично. Ответ при защите КП хороший.


Скачать
 Комментировать
Курсовой проектБ.1.2.6. Физико-технологические основы полупроводниковой электроникиРасчет и проектирование полевого транзистора24699Скачать
 Комментировать
КурсовойБ.1.2.17.1. Технология и проектирование тонкопленочных структурРасчет и проектирование тонкопленочной ГИС29306Скачать
 Комментировать
Наименование дисциплиныТема работы
Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектроникеПравила выполнения приборостроительных конструкторских документов
Б.1.1.11. Автоматизированные методы обработки результатов экспериментаРазработка программы построения графика интерполяционного полинома
Б.1.1.8. Компьютерные и информационные технологии в нано- и микроэлектроникеПостроение графика функции в системе Турбо-Паскаль
Б.1.1.23. Физическая химия и кристаллофизика материалов электронной техникиПрогнозирование полупроводниковых свойств в многокомпонентных системах
Б.1.1.24. Квантовая механика и статистическая физикаДвижение квантовой частицы в силовых полях
Б.1.2.1. СхемотехникаРасчет и моделирование частотно-избирательного усилителя
Б.1.1.18. Материалы электронной техникиФизико-химическое управление электрофизическими свойствами полупроводниковых и диэлектрических материалов
Б.1.2.2. Физика конденсированного состоянияРасчет температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников
Б.1.2.8. Технология полупроводниковых и диэлектрических материаловРаспределение примеси вдоль слитка при вытягивании кристаллов из расплава
Б.1.1.20. Микросхемотехника и технологическое проектирование цифровых ИМСРазработка программно-временного устройства
Б.1.2.18.1. Технология нано- и микроэлектромеханических системКремниевый кристалл чувствительного элемента датчика абсолютного давления. Разработка основного технологического маршрута изготовления
Б.1.2.11. Технология электронной компонентной базыРазработка технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе p-n перехода
Б.1.2.6. Физико-технологические основы полупроводниковой электроникиРасчет и проектирование полевого транзистора
Б.1.2.17.1. Технология и проектирование тонкопленочных структурРасчет и проектирование тонкопленочной ГИС